고출력 LED 패키지의 Thermal Via 형성을 위한 Si 기판의 이방성 습식식각 공정

유병규; 김민영; 오태성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 유병규 김민영 오태성

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제19권 제4호

발행연도: 2012.1

수록면: 51 - 56 (6page)

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2013

고휘도 고출력 LED 패키지의 Thermal via 형성공정 및 열방출 특성 향상에 관한 연구

유병규 新素材工學科 2013.01 학위논문

2012

고출력 LED 패키지의 Thermal Via 형성을 위한 Si 기판의 이방성 습식식각 공정

유병규 , 김민영 , 오태성 마이크로전자 및 패키징학회지 2012.01 학술저널

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습식공정으로 thermal via용 SI 관통 via를 형성하기 위해 TMAH 용액의 농도와 온도에 따른 Si 기판의 이방성습식식각 거동을 분석하였다. TMAH 용액의 온도를 80oC로 유지한 경우, 5 wt%, 10 wt% 및 25 wt% 농도의 TMAH 용액은각기 0.76 μm/min, 0.75 μm/min 및 0.30 μm/min의 Si 식각속도를 나타내었다. 10 wt% TMAH 용액의 온도를 20oC와 50oC 로 유지시에는 각기 0.07 μm/min와 0.23 μm/min으로 식각속도가 저하하였다. Si 기판의 양면에 동일한 형태의 식각 패턴을형성하여 80oC의 10 wt% TMAH 용액에 장입하고 5시간 식각하여 깊이 500 μm의 관통 via hole을 형성하였다.

#LED #anisotropic wet etching #thermal via #through-Si-via #TMAH

참고문헌 (24)

참고문헌 신청

A. Christensen / 2009 / Thermal Effects in Packaging High Power Light Emitting Diode Arrays / Applied Thermal Engineering 29 : 364 ~

C. J. Weng / 2009 / Advanced Thermal Enhancement and Management of LED Packages / International Communications in Heat and Mass Transfer 36 : 245 ~

C. R. Yang / 2005 / Effects of Various Ion-Typed Surfactants on Silicon Anisotropic Etching Properties in KOH and TMAH Solutions / Sensors and Actuators A 119 : 271 ~

H. Seidel / 1990 / Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in Alkaline Solutions / Journal of The Electrochemical Society 137 : 3626 ~

I. Zubel / 2001 / Silicon Anisotropic Etching in Alkaline Solutions IV: The Effect of Organic and Inorganic Agents on Silicon Anisotropic Etching Process / Sensors and Actua

이 논문의 저자 정보

유병규

소속기관 한국마이크로전자및패키징학회

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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김민영

소속기관 한국마이크로전자및패키징학회

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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오태성

소속기관

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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