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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제18권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
49 - 53 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2011

전기 도금법을 이용한 non-PR Sn-3.5Ag 범프 형성에 관한 연구
홍성철 ,  정도현 ,  박상윤 외 2명 대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집 2011.11 학술대회자료
3차원 실장용 TSV의 Cu 고속충전 및 Sn-Ag non-PR 범프 형성
홍성철 ,  정도현 ,  박상윤 외 3명 대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집 2011.04 학술대회자료
3차원 칩 패키징을 위한 TSV내 전도금속 충전 및 non-PR 범프 형성
홍성철 ,  이왕구 ,  박준규 외 2명 대한용접·접합학회지 2011.02 학술저널
3차원 실장용 TSV 고속 Cu 충전 및 Non-PR 범핑
홍성철 ,  김원중 ,  정재필 마이크로전자 및 패키징학회지 2011.01 학술저널

2010

3차원 Si-chip 실장을 위한 Cu 고속 충전
홍성철 ,  박준규 ,  김원중 외 1명 대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집 2010.11 학술대회자료

초록· 키워드

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TSV(through-silicon-via)를 이용한 3차원 Si 칩 패키징 공정 중 전기 도금을 이용한 비아 홀 내 Cu 고속 충전과 범핑 공정 단순화에 관하여 연구하였다. DRIE(deep reactive ion etching)법을 이용하여 TSV를 제조하였으며, 비아홀 내벽에 SiO₂, Ti 및 Au 기능 박막층을 형성하였다. 전도성 금속 충전에서는 비아 홀 내 Cu 충전율을 향상시키기 위하여 PPR(periodic-pulse-reverse) 전류 파형을 인가하였으며, 범프 형성 공정에서는 리소그라피(lithography) 공정을 사용하지 않는 non-PR 범핑법으로 Sn-3.5Ag 범프를 형성하였다. 전기 도금 후, 충전된 비아의 단면 및 범프의 외형을 FESEM(field emission scanning electron microscopy)으로 관찰하였다. 그 결과, Cu 충전에서는 -9.66 mA/cm²의 전류밀도에서 60분간의 도금으로 비아 입구의 도금층 과성장에 의한 결함이 발생하였고, -7.71 mA/cm²에서는 비아의 중간 부분에서의 도금층 과성장에 의한 결함이 발생하였다. 또한 결함이 생성된 Cu 충전물 위에 전기 도금을 이용하여 범프를 형성한 결과, 범프의 모양이 불규칙하고, 균일도가 감소함을 나타내었다.
#electroplating #Cu filling #non-PR bumping #defect #scanning electron microscopy

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/ / ADVANCED PACKAGING : 3D IC & TSV Interconnects - Business Update google schola / / Wikipedia / Wikipedia Foundation. lnc google schola C. Lee / 2009 / Formation of 100 μm Deep Vertical Pores in Si Wafers by Wet Etching and Cu Electrodeposition / J. Electrochem. Soc (156) : 543 ~ google schola C. Y. Yin / 2003 / The Effect of Reflow Process on the Contact Resistance and Reliability of Anisotropic Conductive Film Interconnection for Flip Chip on Flex Applications / google schola J. H. Jun / / Characteristics of Electroplated Sn Bumps Fabricated without a PR Mould on a Si Chip for 3D Packaging / Microelectron. Eng., In Press google schola

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