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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 23 - 27 (5page)
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전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 이중층 형성은 초박형 태양전지 제작에서 PS layer transfer 기술을적용하기 위한 선행 공정이다. 다공성 실리콘 층의 다공도는 전류밀도와 에칭용액 내 불산의 농도를 조절하여 제어할 수있다. 전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 형성을 위하여 비저항 0.01-0.02 Ω·cm의 p-type (100)의 실리콘 웨이퍼를사용하였으며, 에칭용액의 조성은 HF (40%) : C_(2)H_(5)OH (99 %) : H_(2)O = 1 : 1 : 2 (volume)으로 고정하였다. PS layer transfer 기술에 사용되는 다공성 실리콘 이중층을 형성하기 위해서 에칭 도중 전류밀도를 낮은 전류밀도 조건에서 높은전류밀도 조건으로 변환하여 low porosity layer 하부에 high porosity layer를 형성할 수 있다.
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참고문헌 (7)
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C.S. Solanki / 2004 / Porous silicon layer transfer processes for solar cells / Solar Energy Materials & Solar Cells : 101 ~
J. Zhao / 1999 / 24.5% efficiency silicon PERT cells on MCZ substrate and 24.7% efficiency PERL cells on FZ substrates / Prog. Photovoltaics Res. Appl : 471 ~
O. Tobail / 2008 / Porous silicon for thin solar cell fabrication / 박사 / Univ. Stuttgart
R. Auer / 2003 / Simplified transfer process for high-current thin-film crystalline Si solar modules / 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion
V. Lehmann / 1993 / The physics of macropore formation in low pooed n-type silicon / J. Eletrochem. Soc : 2836 ~
J. Zhao / 1999 / 24.5% efficiency silicon PERT cells on MCZ substrate and 24.7% efficiency PERL cells on FZ substrates / Prog. Photovoltaics Res. Appl : 471 ~
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R. Auer / 2003 / Simplified transfer process for high-current thin-film crystalline Si solar modules / 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion
V. Lehmann / 1993 / The physics of macropore formation in low pooed n-type silicon / J. Eletrochem. Soc : 2836 ~
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