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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 23 - 29 (7page)
이용수
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Less power consumption, lower cost, smaller size and more functionality are the increasing demands forconsumer electronic devices. The three dimensional(3-D) TSV packaging technology is the potential solution to meet thisrequirement because it can supply short vertical interconnects and high input/output(I/O) counts. Cu(Copper) has usuallybeen chosen to fill the TSV because of its high conductivity, low cost and good compatibility with the multilayerinterconnects process. However, the CTE mismatch and Cu ion drift under thermal stress can raise reliability issues. Thisstudy discribe the thermal stress reliability trend for successful implementation of 3-D packaging.
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참고문헌 (26)
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/ / Nokia 2013 Packaging Roadmap
/ / Samsung TSV 2013 Diagram 3D Package
/ 2008 / 3-D TSV Interconnects, in Equipment & Materials 2008 Report : 158 ~
A. Budiman / 2012 / Measurement of Stresses in Cu and Si around Through-Silicon Via by Synchrotron X-Ray Micro Diffraction for 3- Dimensional Integrated Circuits / Microelect
B. Wunderle / 2007 / Thermo-Mechanical Reliability of 3D-Integrated Microstructures in Stacked Silicon / Proc. 2006 MRS Fall Meeting : 67 ~
/ / Samsung TSV 2013 Diagram 3D Package
/ 2008 / 3-D TSV Interconnects, in Equipment & Materials 2008 Report : 158 ~
A. Budiman / 2012 / Measurement of Stresses in Cu and Si around Through-Silicon Via by Synchrotron X-Ray Micro Diffraction for 3- Dimensional Integrated Circuits / Microelect
B. Wunderle / 2007 / Thermo-Mechanical Reliability of 3D-Integrated Microstructures in Stacked Silicon / Proc. 2006 MRS Fall Meeting : 67 ~
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