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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제12권 제6호
발행연도
2003.1
수록면
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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

GaAs 기판 위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 표면형상 제어
김진상 ,  서상희 한국결정학회 학술연구발표회 2003.01 학술대회자료
MBE법으로 성장된 CdTe(211)/Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상
김진상 ,  서상희 ,  S.Sivananthan 센서학회지 2003.01 학술저널

2001

GaAs 및 CdZnTe기판위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성
김진상 ,  서상희 한국결정학회지 2001.01 학술저널

초록· 키워드

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MBE 방법으로 Si 기판위에 성장된 CdTe(211) 박막위에 MOVPE 법으로 HgCdTe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 표면은 hillock 등의 결함이 없는 매우 균일한 형상을 보였다. HgCdTe 박막표면의 EPD(etch pit density) 및 (422) 결정면의 이중 결정 x-선 회절 피크의 반치폭으로 본 결정성은 GaAs 기판위에 성장된 HgCdTe 박막에 비하여 우수하였다. GaAs 기판 위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe는 기판처리 과정에서 유입된 p-형 불순물로 인해 p-형 전도성을 나타내었으나 (211)CdTe 기판 위에 성장된 박막은 77K에서 8x1014/cm3의 운반자 농도를 갖는 n-형 전도성을 보였다. 본 연구의 결과는 최근 요구되고 있는 1024x1024급 이상의 화소를 갖는 대면적 HgCdTe 적외선 소자 제작에 널리 적용될 것으로 판단된다.
#HgCdTe #Infrared detector #MOVPE #CdTe

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