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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김진상 (한국과학기술원 정보재료&middot) 서상희 (소자연구센터)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제12권 제3호
발행연도
2001.1
수록면
171 - 176 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

GaAs 기판 위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 표면형상 제어
김진상 ,  서상희 한국결정학회 학술연구발표회 2003.01 학술대회자료
MBE법으로 성장된 CdTe(211)/Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상
김진상 ,  서상희 ,  S.Sivananthan 센서학회지 2003.01 학술저널

2001

GaAs 및 CdZnTe기판위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성
김진상 ,  서상희 한국결정학회지 2001.01 학술저널

초록· 키워드

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(100), (111), (211)CdZnTe 기판 및 (100)GaAs 기판위에 HgCdTe 박막을 MOVPE 법으로 성장하였다. 기판의 방위에 따라 성장된 박막의 표면형상, 전기적 특성, 결정성 및 조성의 변화를 분석하였다. (111) CdZnTe 기판 위에서는 3차원적인 facet 형태의 성장이 일어났다. (100) CdZnTe 기판 위에 성장된 HgCdTe 박막의 경우 DCX반치폭은 55arcsec 정도로 125 arcsec의 반치폭을 보인 (100) GaAs에 비하여 우수한 결정성을 나타내었다. 그러나 전기적인 특성은 GaAs 기판의 경우, 이동도가 높은 n-형 전도성을 보였으나 CdZnTe 기판을 사용한 경우에는 10<SUP>16</SUP>&#13220; 이상의 운반자 농도를 갖는 p-형 전도성을 나타내었다.

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