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Highly concentrated p-type ZnO thin films can be obtained by doping of N, P and As elements. In this study, undoped ZnO buffer layers were prepared on a (0001) sapphire substrate by a ultra high vaccum pulsed laser deposition(UHV-PLD) method. ZnO buffer layers were deposited with various deposition temperature(400~700oC) at 350mtorr of oxygen working pressure. Arsenic doped(1wt%) ZnO thin films were deposited on the ZnO buffer layers by UHV-PLD. Crystallinity of the samples were evaluated by X-ray diffractometer and scanning electron microscopy. Optical, electrical properties of the ZnO thin films were estimated by photoluminescence(PL) and Hall measurements. The optimal condition of the undoped ZnO buffer layer for the deposition of As-doped ZnO thin films was at 600oC of deposition temperature.
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J. D. Albrecht / 1998 / High field electron transport properties of bulk ZnO 86 : 6864 ~ 6867
K. Iwata / 2000. / ZnO growth on Si by radical source MBE 214 : 50 ~ 54
M. C. Jeong / 2004. / Comparative study on the growth characteristics of ZnO nanowires and thin films by metalorganic chemical vapor deposition 268 : 149 ~ 154
Q. P. Wang / 2004. / Mechanisms of green emission from ZnO films prepared by rf-magnetron sputtering 26 : 23 ~ 26
R. Tena-Zaera / 2004 / Study of the ZnO crystal growth by vapour transport methods 270 : 711 ~ 721
K. Iwata / 2000. / ZnO growth on Si by radical source MBE 214 : 50 ~ 54
M. C. Jeong / 2004. / Comparative study on the growth characteristics of ZnO nanowires and thin films by metalorganic chemical vapor deposition 268 : 149 ~ 154
Q. P. Wang / 2004. / Mechanisms of green emission from ZnO films prepared by rf-magnetron sputtering 26 : 23 ~ 26
R. Tena-Zaera / 2004 / Study of the ZnO crystal growth by vapour transport methods 270 : 711 ~ 721
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