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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제1호
발행연도
2003.1
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ZnO-Si-ZnO multi-layer thin films have been deposited by pulsed laser deposition (PLD). And then, the films have been annealed at 300℃ in oxygen ambient pressure. Peak positions of ultraviolet (UV) and visible region were changed by addition of Si layer. Mobility of the films was improved slightly than ZnO thin film without Si layer. The structural property changed by inserting intermediate Si layer in ZnO thin film. The optical properties and structural properties of ZnO-Si-ZnO multi-layer thin films were characterized by PL(Photoluminescence) and XRD(X-ray diffraction) method, respectively. Electrical properties were measured by van der Pauw Hall measurements
#ZnO-Si-ZnO multi-layer thin films #PLD #PL #XRD

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