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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
120 - 126 (7page)

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Physicochemical and electrical properties for hydrogen gas sensors based on Pd-deposited WO3 thin films were investigated as a function of Pd thickness, annealing temperature, and operating temperature. WO3 thin films were deposited on an insulating material by thermal evaporator. XRD, FE-SEM, AFM, and XPS were used to evaluate the crystal structure, microstructure, surface roughness, and chemical property, respectively. The deposited films were grown WO3 polycrystalline with rhombohedral structure after annealing at 500oC. The addition effect of Pd is not the crystallinity but the suppression of grain growth of WO3. Pd was scattered an isolated small spherical grain on WO3 thin film after annealing at 500oC and it was agglomerated as an irregular large grain or diffused into WO3 after annealing at 600oC. 2 nm Pd-deposited WO3 thin films operated at 250oC showed good response and recovery property.
#hydrogen sensor #WO3 #thermal evaporator #Pd #DC magnetron sputtering

목차

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A. Hoel / 2005. / Gas sensing with films of nanocrystalline WO3 and Pd made by advanced reactive gas deposition 105 : 283 ~ 289 google schola A. Katsuki / 1998. / H2 selective gas sensor based on SnO2 52 : 30 ~ 37 google schola D. Briand / 2003. / Modulated operating temperature for MOSFET gas sensors 93 : 276 ~ 285 google schola D. Davazoglou / 2001. / Fabrication and calibration of a gas sensor based on chemically vapor deposited WO3 films on silicon substrates application to H2 sensing 77 : 359 ~ 3 google schola D. Gruber / 2003 / A novel gas sensor design based on CH4/H2/H2O plasma etched ZnO thin films 92 : 81 ~ 89 google schola

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