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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 1,075 - 1,079 (5page)
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The Pseudo MOSFET measurements technique has been used for the electrical characterization of the nano SOI wafer. Silicon islands for the Pseudo MOSFET measurements were fabricated by selective etching of surface silicon film with dry or wet etching to examine the effects of the etching process on the device properties. The characteristics of the Pseudo MOSFET were not changed greatly in the case of thick SOI film which was 205 nm. However the characteristics of the device were dependent on etching process in the case of less than 100 nm thick SOI film. The sub 100 nm SOI was obtained by thinning the silicon film of standard thick SOI wafer. The thickness of SOI film was varied from 88 nm to 44 nm by chemical etching. The etching process effects on the properties of pseudo MOSFET characteristics, such as mobility, turn-on voltage, and drain current transient. The etching process dependency is greater in the thinner SOI wafer.
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/ 2000. / A review of the pseudo-MOS transistor in SOI wafers IEEE Transactions on Electron Devices 47 : 1018 ~
/ 2001. / Nano gap fabrication by thermal stress cleavage on SIMOX SOI for lateral FED application : 445 ~
/ 2002. / SOI NMOSFET 을 이용한 photo detector의 특성 15 (7) : 583 ~
/ 2003. / SOI 웨이퍼를 이용한 top emission 방식 AMOLEDs 의 스위칭 소자용 단결정 실리콘 트랜지스터 16 (4) : 291 ~
/ 2003. / Si film electrical characterization in SOI substrates by the HgFET technique 47 (6) : 1311 ~
/ 2001. / Nano gap fabrication by thermal stress cleavage on SIMOX SOI for lateral FED application : 445 ~
/ 2002. / SOI NMOSFET 을 이용한 photo detector의 특성 15 (7) : 583 ~
/ 2003. / SOI 웨이퍼를 이용한 top emission 방식 AMOLEDs 의 스위칭 소자용 단결정 실리콘 트랜지스터 16 (4) : 291 ~
/ 2003. / Si film electrical characterization in SOI substrates by the HgFET technique 47 (6) : 1311 ~
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