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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 17 - 21 (5page)
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본 연구에서는 반도체 제조 공정에서 CMP 공정 후 웨이퍼 표면에 연마 입자의 잔류에 의한 오염을 해결하고, 회로의 선폭이 미세해짐에 따라 허용되는 입자의 개수와 크기, 한계가 점점 엄격해지고 있는 상황에서 구리 표면 위의 연마 입자를 효과적으로 제거하고자 버핑 공정을 이용하였다. 초순수와 연질 다공성의 패드를 이용한 버핑 공정은 AE센서를 통한 연마 입자가 제거 되는 신호를 획득하였다. AE 센서를 통한 모니터링 결과 시간에 따른 각각의 시그널 구간에 따라 신호가 변함을 확인하였고, FE-SEM과 AFM을 이용하여 측정한 결과 신호와 일치하는 구리 표면의 입자 제거를 확인하였다. 고이득, 저노이즈를 갖춘 AE 센서는 고주파 영역을 감지할 수 있기 때문에 버핑 시 발생하는 미세한 표면 변화를 감지할 수 있어 실시간 모니터링에 매우 효과적이며, 회전 기구에서 직접 신호를 검출하여 감시하기 위해서는 무선 AE 모니터링 시스템의 연구 및 신뢰성 테스트들이 추가적으로 필요한 것으로 사료된다.
목차
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참고문헌 (6)
참고문헌 신청
A. A. Busnaina / 2002 / / IEEE Transaction on Semiconductor Manufacturing 15 : 374 ~ 382
H. C. Cho / 2009 / / Pusan National University : 12 ~ 26
H. D. Jeong / 2006 / / Annals of the CIRP 55 : 325 ~ 328
S. Wolf / 2000 / Silicon Processing for the VLSI Era, 2nd e / Lattice Press
Y. K. Hong / 2004 / / J. of the Electrochem. Soc 151 : 756 ~
H. C. Cho / 2009 / / Pusan National University : 12 ~ 26
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S. Wolf / 2000 / Silicon Processing for the VLSI Era, 2nd e / Lattice Press
Y. K. Hong / 2004 / / J. of the Electrochem. Soc 151 : 756 ~
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