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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제5호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 271 - 275 (5page)
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Al doped zinc oxide (AZO) films were prepared by Facing Targets Sputtering (FTS) system for TCO applications. The electrical, optical and structural properties of AZO thin films have been investigated with input current, oxygen gas flow ratio and substrate temperature. Deposition was carried out at room temperature and 200 ℃. Working gas pressures were fixed at 1mTorr. As a result, AZO thin film deposited with an optical transmittance over 80 % and a resistivity about 10-4Ω•cm.
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/ 1999. / Growth of polycrystalline GaN on silicon substrates by RF plasma chemical vapor deposition with ZnO buffer layer 176 : 579 ~
/ 2000 / Influence of oxygen partial pressure on transparency and conductivity of RF sputtered Al-doped ZnO thin films 157 : 47 ~
/ 2000. / Preparation of Zn1?xMgxO films by radio frequency magnetron sputtering 372 : 173 ~
/ 2000. / Structural, optical and electrical properties of ZnO and ZnO-Al2O3 films prepared by dc magnetron sputtering 70 (4) : 421 ~
/ 2001. / Relationship between photoluminescence and electrical properties of ZnO thin films grown by pulsed laser deposition 169 : 521 ~
/ 2000 / Influence of oxygen partial pressure on transparency and conductivity of RF sputtered Al-doped ZnO thin films 157 : 47 ~
/ 2000. / Preparation of Zn1?xMgxO films by radio frequency magnetron sputtering 372 : 173 ~
/ 2000. / Structural, optical and electrical properties of ZnO and ZnO-Al2O3 films prepared by dc magnetron sputtering 70 (4) : 421 ~
/ 2001. / Relationship between photoluminescence and electrical properties of ZnO thin films grown by pulsed laser deposition 169 : 521 ~
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