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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제12호
발행연도
2016.1
수록면
824 - 828 (5page)

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본 연구에서는 ICP 장비를 이용여 PAR 박막의 식각 속도 및 PR과의 선택비를 연구하였다. CF4/O2의 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력에 대하여 식각 속도를 관찰하였다. 식각 후 표면 상태는 원자력 현미경 (AFM)과 주사 전자 현미경 (FE-SEM)을 이용하여 식각 전후 표면의 변화에 대해서 관찰하였다.

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