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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제3호
발행연도
2005.1
수록면
259 - 263 (5page)

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The changes in secondary electron emission coefficient() and work function() have been studied on the surface of MgO protective layer after plasma(Ar, O2) treatment using -focused ion beam (-FIB) system. The values of varied as follows: O2-treated MgO > Ar-treated MgO > Non-treated MgO, and the work functions varied in the reverse order. The result indicates that both the physical etching and the chemical reaction of O2-plasma removed the contaminating materials from the surface of MgO.

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