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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 525 - 528 (4page)
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The ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ and work function for MgO thin film with $O_2$ plasma treatment has been investigated by ${\gamma}$ -FIB (focused ion beam) system. The MgO thin film deposited from sintered material with $O_2$ plasma treatment is found to have higher ${\gamma}$ and lower work function than those without $O_2$ plasma treatment. The energy of various ions used has been ranged from 100eV to 200eV throughout this experiment. It is found that the highest secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ has been achieved for 10 minutes of $O_2$ plasma treatment under RF power of 50W.
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