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저자정보
Kim, Dong-Woo (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Kim, Doo-Hyun (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Kim, Keon-Soo (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Kim, Hyoung-Jin (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Choi, Hong (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Lee, Dong-Hyeok (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University) Hong, Mun-Pyo (Dept. of Display and Semiconductor Physics, Korea University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
566 - 567 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2009

Fabrication of soluble organic thin film transistor with ammonia ($NH_3$) plasma treatment
Kim ,  Dong-Woo ,  Kim 외 11명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2009.01 학술대회자료

2008

Physical effect of annealing conditions on soluble organic semiconductor for organic thin film transistors
Kim ,  Dong-Woo ,  Kim 외 9명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2008.01 학술대회자료

초록· 키워드

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We have examined the silicon nitride ($SiN_x$) as gate insulator with the ammonia ($NH_3$) plamsa treatment for the soluble derivatives of polythiophene as p-type channel materials of organic thin film transistors (OTFTs). Fabrications of the jetting-processed OTFTs with $SiN_x$ as gate insulator by $NH_3$ plasma treatment can be similar to performance of OTFTs with silicon dioxide ($SiO_2$) insulator.

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