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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제4권 제6호
발행연도
2003.1
수록면
13 - 16 (4page)

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Mn-doped ZnGa2O4-xMx (M=S, Se) thin film phosphors have been grown using a pulsed laser deposition technique under various growth conditions. The structural characterization carried out on a series of ZnGa2O4-xMx:Mn2+ (M=S, Se) films grown on MgO(100) substrates using Zn-rich ceramic targets. Oxygen pressure was varied from 50 to 200 mTorr and Zn/Ga ratio was the function of oxygen pressure. XRD patterns showed that the lattice constants of the ZnGa2O4-xMX:Mn2+ (M=S, Se) thin film decrease with the substitution of sulfur and selenium for the oxygen in the ZnGa2O4. Measurements of photoluminescence (PL) properties of ZnGa2O4-xMx:Mn2+ (M=S, Se) thin films have indicated that MgO(100) is one of the most promised substrates for the growth of high quality ZnGa2O4-xMx:Mn2+ (M=S, Se) thin films. In particular, the incorporation of Sulfur or Selenium into ZnGa2O4 lattice could induce a remarkable increase in the intensity of PL. The increasing of green emission intensity was observed with ZnGa2O3.925Se0.075:Mn2+ and ZnGa2O3.925S0.05:Mn2+ films, whose brightness was increased by a factor of 3.1 and 1.4 in comparison with that of ZnGa2O4:Mn2+ films, respectively. These phosphors may promise for application to the flat panel displays.
#Photoluminescence #Thin film #Pulsed laser ablation #ZnGa2O4:Mn2+

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