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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제1호
발행연도
1993.3
수록면
34 - 40 (7page)

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새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법 (Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2° 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는 580~700℃, 기체 압력은 10^(-5)~10^(-4)Torr를 유지하였다. 특히 본 연구에서는 arsine을 사전에 열분해 하는 통상의 Chemical Beam Epitaxy(CBE) 성장법과는 달리, arsine이 표면에서 분해되는 화학 반응만을 사용하여도 AlGaAs 에피탁시를 성장할 수 있음은 물론 박막내의 탄소 불순물의 농도가 크게 낮아짐을 관찰하였다. 또한 성장 온도의 변화에 따른 AlGaAs 에피탁시층의 Al 함유 과정에 대하여도 고찰하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과

4. 결론

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