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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제2호
발행연도
1996.6
수록면
107 - 112 (6page)

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RF magnetron sputtering 법에 의해 Pb(Zr_xTi_(1-x))O₃(PZT) 박막을 Pt/SiO₂/Si(100) 기판위에 다양한 온도에서 성장시켰다. Atomic Force Microscopy(AFM)을 이용하여 이들 박막의 표면 형상과 기판형성 온도와의 관계를 조사하였으며 한편 X-ray Photoemission Spectroscopy(XPS)를 이용하여 성장시킨 박막의 조성과 그 depth profile을 조사하였다. 300℃의 기판온도에서 성장시킨 경우가 실온에서 성장시킨 경우보다 거칠기가 적었으며 이것은 Pb와 같은 흡착 원자의 온도에 따른 표면 이동도의 차이에 기인하는 것으로 판단되었다. 박막의 성장 온도가 더 높을수록 박막표면에서의 Pb의 농도가 박막내부보다 큰 경향이 더 심화되는 것을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

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