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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제4호
발행연도
1996.12
수록면
327 - 332 (6page)

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Tungsten(W) polycide gate 구조에서 WSi_x의 두께가 증가하면 열처리 공정 후 Gate oxide의 두께가 증가하며, 전기적 신뢰도가 열화 되는 현상이 발생한다. 이러한 특성 열화를 일으키는 지배적인 요인은 WSi_x 증착 공정 중 유입되어 후속 열 공정에 의하여 gate oxide로 확산되는 fluorine인 것으로 밝혀졌다. 이러한 현상을 규명하기 위하여 fluorine ion implantation된 poly Si과의 특성을 비교하였으며, SIMS 및 단면 TEM을 이용한 미세 구조 연구를 실시하였다. 그러나, WSi_x의 두께가 600Å 이상부터는 이러한 특성 열화가 포화되는 현상이 관찰되었다. 600Å 이상의 WSi_x 두께에서는 미세 구조가 표면이 거칠고, porous한 phase로 구성된 상부 구조와 비교적 dense하고, 매끈한 계면 상태를 갖는 하부 구조로 이루어졌으며, porous한 표면 부위는 후속 열공정 중 oxygen-rich한 phase로 변하여 fluorine을 포획하여 oxide로의 확산을 억제하여 특성 열화가 포화되는 것으로 해석되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

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