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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.2
- 수록면
- 9 - 19 (11page)
이용수
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본 연구에서는 실리콘 웨이퍼 표면에 존재하는 미량의 Zn, Fe, Ti 금속 오염물들이 UV-excited chlorine radical을 이용한 건식세정 방법으로 제거되는 반응과정을 찾아내고자 하였다. 실리콘 웨이퍼 상에 진공증착법으로 원형패턴이 있는 Zn, Fe, Ti 박막을 증착시켜 상온 및 200℃에서 UV/Cl₂ 세정하였을 때, 염소 래디컬 (Cl*)이 Fe, Zn, Ti와 반응하여 제거되는 것을 반응 전후 광학현미경과 SEM을 통해 표면 형상 변화을 관찰하였고, in-line으로 연결된 XPS를 통해서 반응 후 웨이퍼 표면에 남아있는 화합물의 화학적 결합상태를 관찰하였으며, UV/Cl₂ 세정 후 실리콘 기판이 손상받는 정도를 알기 위해 AFM으로 표면 거칠기를 측정하였다. 광학현미경과 SEM의 분석 결과에 의하면 Zn와 Fe는 쉽게 제기되는 반면 염화물을 형성하기 보다는 휘발성이 적은 산화물을 형성하는 경향이 강한 Ti은 약간만 제거되는 것을 확인하였다. XPS 분석을 통해서 이들 금속 오염물들이 chlorine radical과 반응하여 웨이퍼 표면에 금속 염화물을 형성하고 있는 것을 확인하였고, UV/Cl₂ 세정처리를 하였을 때 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기가 약간 증가하는 것을 알 수 있었다. 지금까지의 결과를 통해 볼 때, 습식세정과 UV/Cl₂ 건식세정을 병행하면 플라즈마 및 레이저를 사용하는 다른 건식세정 방법에 비하여 보다 저온에서 실리콘 기판의 큰 손상 없이 비교적 용이하게 금속 오염물을 제거할 수 있음을 제안하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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