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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.7
- 수록면
- 267 - 274 (8page)
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원격 수소 플라즈마에 의한 Si 웨이퍼 표면 위의 Cr, Ni 및 Cu 불순물의 제거 효과를 조사하였다. Si 웨이퍼를 이 불순물들이 포함되어 있는 아세톤으로 집중적으로 오염시켰으며 최적 공정조건을 결정하기 위해 rf-power와 plasma 노출시간을 변화시키면서 실험을 수행하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정 후 Si 웨이퍼 표면은 Total X-ray Reflection Fluorescence(TXRF), Surface Photovoltage(SPV) 및 Atomic Forece Microscope(AFM)에 의해 분석되었다.
리모트 수소 플라즈마 세정 후 Cr, Ni 및 Cu 불순물의 농도는 감소하였고 소수 전하운반자수명은 전반적으로 증가하였다. 또한 AFM 분석결과 표면 거칠기는 전반적으로 향상되었고 Si 기판에 거의 손상을 주지 않았다. TXRF 분석결과는 리모트 수소 플라즈마 세정이 적절한 공정 조건에서 이루어질 때 금속 오염물의 제거에 아주 효과적임을 보여주었다. 또한, Cr, Ni 및 Cu 불순물의 제거는 SiO₂가 제거될 때 SiO₂에 묻어 함께 제거되는 이른바 lift-off mechanism에 의한 것으로 사료된다.
리모트 수소 플라즈마 세정 후 Cr, Ni 및 Cu 불순물의 농도는 감소하였고 소수 전하운반자수명은 전반적으로 증가하였다. 또한 AFM 분석결과 표면 거칠기는 전반적으로 향상되었고 Si 기판에 거의 손상을 주지 않았다. TXRF 분석결과는 리모트 수소 플라즈마 세정이 적절한 공정 조건에서 이루어질 때 금속 오염물의 제거에 아주 효과적임을 보여주었다. 또한, Cr, Ni 및 Cu 불순물의 제거는 SiO₂가 제거될 때 SiO₂에 묻어 함께 제거되는 이른바 lift-off mechanism에 의한 것으로 사료된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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