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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.1 No.1
- 발행연도
- 1997.6
- 수록면
- 38 - 44 (7page)
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Epitaxial growth of SiC films on Si(111) substrates without carbonization was carried out in the temperature range of 900-1000℃ under high vacuum conditions by single source chemical vapor deposition (CVD) of 1,3-disilabutane (H₃SiCH₂SiH₂CH₃). The monocrystalline nature of the films was confirmed by XRD, RHEED and cross-sectional TED. Cross-sectional TEM image indicated that no void exists and the boundary is clear and smooth at the SiC-Si(111) interface. RBS and AES analyses also showed that the films are stoichiometric and homogeneous in depth. From the results, this single source growth technique of using 1,3-disilabutane has been found suitable and effective for epitaxial growth of stoichiometric SiC on Si(111) without carbonization at temperatures below 1000℃.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Summary
Acknowledgment
References
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