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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제2호
발행연도
1996.6
수록면
133 - 138 (6page)

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단일 선구 물질인 1, 3-디실라부탄을 사용하여 고진공 하의 온도 영역 900-1000℃에서 탄화규소 완충층이 형성된 Si(001) 기질 위에 입방형 탄화규소 박막을 적층 성장시켰다. 얻어진 탄화규소 박막의 화학량 론적 비, 양질의 결정성 및 표면 형태의 특성을 반사 고에너지 전자 회절, X선 광전자 분광법, X선 회절, X선 극점도, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 확인하였다. 이들 결과로부터 단일 선구물질인 1, 3-디실라부탄이 입방 구조를 가지는 탄화규소 박막의 적층 성장에 적절한 물질임을 밝혔다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고 문헌

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