고주파플라즈마CVD법에 의한 Diamond 박막의 성장과 특성

박상현; 장재덕; 최종규; 이취중

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박상현 장재덕 최종규 이취중

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제3호

발행연도: 1993.9

수록면: 346 - 354 (9page)

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고주파플라즈마 CVD법으로 CH₄와 H₂의 혼합가스로부터 실리콘과 석영기판 위에 다이아몬드 임자와 박막을 성장시켰다. 기판과 기판지지대 사이에 금속판을 삽입함으로써 기판의 온도와 성장된 박막의 두께를 비교적 균일하게 할 수 있었다. 방전전력이 같은 경우 성장된 박막의 형태는 반응관 압력을 증가시킴에 따라 자형면을 가진 업자로부터 미립자 또는 구상의 입자로 변화되었다. H₂와 CH₄의 혼합가스로부터 Si기판 위에 다이아몬드 박막을 성장시키는 경우, CH₄ 농도가 0.5vol% 이하가 되어야만 양질의 다이아몬드 박막을 성장시킬 수 있었다. 성장된 다이아몬드 박막은 SEM, XRD 및 Raman 분광기를 사용하여 평가하였다.

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장재덕

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최종규

소속기관 한국진공학회(ASCT)

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이취중

소속기관 한국진공학회(ASCT)

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