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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
417 - 424 (8page)

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도핑되지 않은 다이아몬드 박막의 전계방출기구를 조사하기 위하여 양의 기판전압과 메탄농도를 변화시켜 구조적 특성이 다른 다이아몬드 박막을 제조하였다. 메탄농도와 양의 기판전압을 증가시킴에 따라 다이아몬드 박막내에 존재하는 비다이아몬드 성분은 증가하였다. 기판전압을 증가시킴에 따라 비다이아몬드 성분이 증가하는 것은 기판온도의 증가와 CH_n 라디칼(radical)의 과잉 생성때문이라고 생각된다. 도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막의 전계방출특성은 비다이아몬드 성분의 양이 증가함에 따라 현저하게 향상되었다. 비다이아몬드 성분이 적은 경우에는 다이아몬드 표면을 통하여 전자가 방출되며 비다이아몬드 성분이 많은 경우는 모서리 뿐만아니라 내부를 통하여 전자가 방출됨을 알 수 있었다. 본 연구로부터 비다이아몬드 성분의 양에 따른 두가지의 전계방출기구가 제시되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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