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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.3 No.1
- 발행연도
- 1999.4
- 수록면
- 24 - 29 (6page)
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The characteristic behaviors of CH₃Br were examined first for the dry etching of polysilicon in a Cl₂/CH₃Br/O₂ plasma. CH₃Br is revealed one of the excellent additive gases to control anisotropy of etching profile and to give no undercutting for various types of polysilicons. CH₃Br acts as a passivation precursor on the side wall in etch cavity by forming polymer-like films such as CH_xBr_y(x+y=1, 2). The decrease of etch selectivity due to the reaction of the C-containing species from CH₃Br with the surface O atoms of SiO₂ was overcome by the addition of O₂ into plasma, resulting that the selectivity increased by 2~3 times. According to the results of optical emission signals, CH₃Br should be dissociated into several fragments to give more hydrogen atoms than bromine atoms in our helical resonator system.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
References
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