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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제4호
발행연도
1994.12
수록면
405 - 413 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1998

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장
최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1995

고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성
최치규 ,  강민성 ,  이개명 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 1995.09 학술저널
고상 에피택셜 방법에 의한 에피택셜 PtSi박막 형성
최치규 ,  강민성 ,  이계명 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1995.06 학술대회자료

1994

동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장
최치규 ,  류재연 ,  오상식 외 5명 Applied Science and Convergence Technology 1994.12 학술저널

초록· 키워드

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초고진공에서 기판 Si(111)-7×7 위에 Ti : Si = 1 : 1 또는 1:2 의 조성비로 Ti와 Si을 동시 증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi₂ 박막을 에피택셜 성장시켰다. XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi₂ 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며, 양질의 C49-TiSi₂ 박막은 Ti를 증착한 후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7×7 구조의 시료를 초고진공에서 500℃에서 열처리하여 얻을 수 있었다. 형성된 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 깨끝하였고, HRTEM 분석 결과 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 약 10℃의 편의를 가지면서 TiSi₂[211]││Si[110], TiSi₂(031)││Si(111)의 정합성을 가졌으며, 시료의 전 영역에 에피택셜 성장되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

감사의 글

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