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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제1호
발행연도
2004.3
수록면
29 - 33 (5page)

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본 논문에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 비정질 실리콘을 증착하여 진공분위기에서 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막(<150℃)을 형성하였다. 비정질 실리콘 박막은 120℃에서 Ar/He 혼합가스로 증착하였으며, Rutherford Backscattering Spectrometry로 측정한 박막내 아르곤 함량은 2%이 하였다. 에너지 밀도 320mJ/㎠일 때 다결정 실리콘의 결정화도는 62%, Root-Mean-Square roughness는 267Å를 나타내었다. 엑시머 레이저 결정화 후 결정립의 크기는 50㎚에서 100㎚ 정도를 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / The Electronchem Soc google schola

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