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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
367 - 372 (6page)

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SiO₂/Si 기판과 비정질 slide glass 기판 위에 대향타켓식스퍼터법 (FTS법)을 이용하여 sputtering current 0.1~0.8 A, 방전 가스압 0.5~3 mTorr, 기판온도 R.T~400℃에서 ZnO 박막을 증착하였다. sputtering current 0.4A, 가스압력 0.5 mTorr, 기판온도 300℃에서 증착된 ZnO/glass 박막과 ZnO/SiO₂/Si 박막의 △θ_(50)은 3.8˚와 2.98˚를 각각 나타내었다. 이러한 조건에서 FTS법은 비정질 slide glass 기판 위에서도 우수한 c-축 배향성을 갖는 ZnO 박막을 제작할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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