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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Journal of Korean Vacuum Society Vol.12 No.S1
- 발행연도
- 2003.10
- 수록면
- 95 - 99 (5page)
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We successfully grew InN/GaN single quantum well structures by metal-organic chemical vapor deposition and confirmed their formation by optical and structural measurements. We speculate that relatively high growth temperature (730℃) of InN layer enhanced the formation of 2-dimensional quantum well structures, presumably due to high adatom mobility. As the growth interruption time increased, the PL emission efficiency from InN layer improved with peak position blue-shifted and the dislocation density decreased by one order of magnitude. The high resolution cross-sectional TEM images clearly showed that the InN layer thickness reduced from 2.5 ㎚ (without GI) to about 1 ㎚ (with 10 sec GI) and the InN/GaN interface became very flat with 10 sec GI. We suggest that decomposition and mass transport processes on InN during GI is responsible for these phenomena.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiment
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgments
References
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