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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 182 - 188 (7page)
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탄소가 없는 폴리실라잔 계와 탄소가 함유된 폴리메틸 실라잔 계 전구체를 실리콘 기판에 스핀코팅하고 150℃, 400℃, 850℃에서 열처리하여 형성된 박막의 물리적 화학적 특성을 평가하였다. 프리에 변환 적외선 분광, 수축 율, 갭-충진, 식각속도 등을 평가하여 박막형성과 형성된 박막의 물리화학적 특성에 미치는 탄소의 영향을 고찰하였다. 탄소함유 전구체는 (탄소가 없는 전구체보다) 400℃에서 질소, 수소, 탄소의 휘발량이 더 적고 산소 흡수량이 더 적어서 (15.6%)보다 낮은 14.5% 두께 수축을 나타내었으나, 800℃에서는 휘발 량이 더 많고 산소 흡수량도 더 많아져 (19.4%)보다 높은 37.4% 두께 수축을 나타냈다. 프리에 변환 적외선 분광분석결과, 전구체내의 탄소는 Spin-on dielectric (SOD) 박막으로 하여금 Si-O 결합형성을 적게, 박막특성을 불균일하게, 그리고 화학 용액에 더 빨리 식각되도록 만들었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - R. Weis / 2001 / / IEDM : 415 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Das / 2006 / / ECS Transactions 1 : 117 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S.H. Shin / 2003 / Data Retention Time and Electrical Characteristics of Cell Transistor According to STI Materials in 90 nm DRAM / Journal of the Korean Physical Society 43 (51) : 887 ~ 891
4. [학술대회논문] - J. W. Kim / 2008 / / The 15th Korean Conference on Semiconductors
5. [학술지(정기간행물)] - J. R. Davis, Jr / 1980 / / IEEE Trans. Electron Device 27 : 677 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Das / 2006 / / ECS Transactions 1 : 117 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S.H. Shin / 2003 / Data Retention Time and Electrical Characteristics of Cell Transistor According to STI Materials in 90 nm DRAM / Journal of the Korean Physical Society 43 (51) : 887 ~ 891
4. [학술대회논문] - J. W. Kim / 2008 / / The 15th Korean Conference on Semiconductors
5. [학술지(정기간행물)] - J. R. Davis, Jr / 1980 / / IEEE Trans. Electron Device 27 : 677 ~
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