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이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. FABRICATION PROCESS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅵ. CONCLUSION
REFERENCES
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DRAM 특집을 내면서
전기의세계
1989 .04
고집적 DRAM Cell 에 대한 연구 ( The Study of High Density DRAM Cell Structure )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구 ( A Study on New High Density DRAM Cell )
전자공학회논문지
1989 .06
STI Network Management Status
CDMA International Conference and Exhibition
1997 .01
새로운 TiSi2 형성방법과 STI를 이용한 초박막 게이트 산화막의 특성 개선 연구
대한전자공학회 학술대회
2000 .11
Technology Trend in DRAM Cells
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
ECC를 적용한 DRAM의 초기화 시간 최소화 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
Investigation of Modified 1T DRAM with Twin Gate Tunneling Field Effect Transistor for Improved Retention Characteristics
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .04
DRAM 소자의 열적 안전성에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2015 .05
대용량 Dynamic RAM의 Data Retention 테스트 회로 설계 ( Design of Data Retention Test Circuit for Large Capacity DRAMs )
전자공학회논문지-A
1993 .09
256K DRAM의 신뢰성
전자진흥
1985 .01
DRAM의 한계
전기의세계
1989 .04
STI 타이어 모델을 사용한 차량의 조향특성해석
한국동력기계공학회 학술대회 논문집
2001 .11
A Nonvolatile Refresh Scheme Adopted 1T-FeRAM for Alternative 1T-DRAM
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2008 .03
Bulk-Grounded DRAM Cell for Multi-Gigabit DRAMs
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
DRAM 셀 파라메터의 확률 분포를 고려한 데이터
전자공학회논문지-SD
2002 .04
두 개의 게이트와 함몰 채널을 가지는 1T DRAM Cell
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
STI의 무선망 설계 Tool
대한전자공학회 심포지엄 논문집
1998 .01
STI 무선망설계 TOOL
한국통신학회 심포지움
1998 .01
한국의 4M DRAM 공동연구개발 사례연구 하(下)
반도체디스플레이기술학회지
2019 .01
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