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Sang Jo Lee (Yeungnam University) Sanam SaeidNahaie (Yeungnam University) Jun Oh Kim (Korea Research Institute of Standards and Science) Sang Jun Lee (Korea Research Institute of Standards and Science) Jong Su Kim (Yeungnam University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.28 No.3
발행연도
2019.5
수록면
46 - 50 (5page)
DOI
10.5757/ASCT.2019.28.3.46

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The purpose of this study is twofold: (1) to grow undoped-GaSb epitaxial structure on a high concentration n<SUP>+</SUP>-GaSb substrate by molecular beam epitaxy and (2) to analyze the grown undoped-GaSb epitaxial structure through photoreflectance (PR) measurements. PR spectrum analysis of the undoped- GaSb epitaxial layer at room temperature shows three notable features. First, in the region above the fundamental band gap E<SUB>g</SUB>, the Franz-Keldysh oscillation (FKO) makes the PR signals oscillate. Second, low electric field PR is observed near E<SUB>g</SUB>. Third, low energetic interference oscillations (LEIOs) occur in the region below the bandgap. An electric field is formed on the surface of the undoped-GaSb layer (i.e., in the interface between the undoped-GaSb and air); by using the FKO component, the calculated magnitude is 70 kV/cm at a growth temperature of 485 °C. In addition, the analysis of the FKO and low electric field PR data indicate a fundamental band gap Eg of 0.723 eV. The thickness of the undoped- GaSb epi-layer, calculated using the LEIO PR spectrum, is 1040 nm.
#Molecular beam epitaxy #Photoreflectance #GaSb

목차

Abstract
I. Introduction
II. Theory
III. Experimental details
IV. Results and analysis
V. Conclusions
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
J. Misiewicz / 2000 / Opto-Electron. Rev 8:1 google schola B. O. Seraphin / 1964 / Proceedings of the International Conference on the Physics of Semiconductors :165 google schola E. Y. Wang / 1967 / II-VI Semiconducting Compounds 1967 International Conference :136 google schola A. Patane / 2012 / Springer Ser. Mater. Sci 150:95 google schola N. Kallergi / 1990 / J. Appl. Phys 68:4656 google schola

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