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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 205 - 207 (3page)
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In this paper, we present a design procedure of high linearity LNA using CMOS technology. To enhance the low linearity of the inherent CMOS transistor, we adopt the modified derivate superposition with adding external capacitor. The simulation of the designed LNA shows $IIP_3$ of +12-dBm, power gain of 13.8-dB, noise figure of 1.75-dB over the 900 MHz UHF RFID frequencies. The circuit draws the current of 4.2 mA from 1.8-V supply voltage.
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