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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
안강호 (한양대학교 기계공학과) 안진홍 ([주]현대교정인증기술원 부설연구소) 정혁 (한양대학교 대학원)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
146 - 150 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

상압 분위기에서 QD 제작 및 이를 응용한 비휘발성 QD 메모리 특성 평가
안강호 ,  안진홍 ,  정혁 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2005.01 학술대회자료
대기압에서 실리콘 양자 점 제조 및 비휘발성 메모리의 응용
안강호 ,  안진홍 ,  정혁 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2005.01 학술대회자료

초록· 키워드

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상온/상압의 분위기에서 코로나 분사 합성법을 이용하여 반도체 실리콘 나노 입자를 제조하였으며, 실리콘 입자의 전기적 특성을 관찰하기 위해 p-type 실리콘웨이퍼 위에 실리콘 나노 입자를 증착시켰다. 이때, 제조된 실리콘 나노 입자의 크기는 약 10 nm이었으며 기하표준편차는 1.31로 단분산성을 나타내었다. 이러한 조건에서, 실리콘 나노 입자의 양자 점 효과를 이용한 비휘발성 반도체 메모리를 제조하여 메모리효과를 분석한 결과, flat band voltage의 차이가 약 1.5 Volt 발생함을 확인하였다.

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