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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
안강호 (한양대학교 기계공학과) 안진홍 (한양대학교 대학원) 정혁
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
발행연도
2005.1
수록면
137 - 141 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

상압 분위기에서 QD 제작 및 이를 응용한 비휘발성 QD 메모리 특성 평가
안강호 ,  안진홍 ,  정혁 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2005.01 학술대회자료
대기압에서 실리콘 양자 점 제조 및 비휘발성 메모리의 응용
안강호 ,  안진홍 ,  정혁 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2005.01 학술대회자료

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Quantum dot(QD) 메모리용 silicon nano-particle을 corona 방전방법에 의해 상온에서 대량 발생하는 방법을 개발하였다. Silicon QD는 SiH4 가스를 코로나 방전 영역을 통과시켜 발생시켰으며, 코로나 전압은 2.75kV를 사용하였다. SiH4 몰농도 $0.33{\times}10^{-7}\;mol/l$ 일 경우 발생된 QD입자 크기는 약 10nm이며 기하학적 표준편차(geometric standard deviation)는 1.31이었다. 이 조건에서 nonvolatile quantum dot semiconductor memory (NVQDM)를 제작하였으며, 이렇게 제작된 NVQDM flat band voltage는 1.5 volt였다.

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