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자료유형
학술대회자료
저자정보
Lee, Kyoung-Min (Dept. of Nano Engineering, University of Seoul) Hwang, Jae-Dam (Dept. of Nano Science & Technology, University of Seoul) Lee, Youn-Jin (Dept. of Nano Science & Technology, University of Seoul) Hong, Wan-Shick (Dept. of Nano Engineering, University of Seoul)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,402 - 1,404 (3page)

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The silicon nitride films for gate dielectric were deposited by catalytic chemical vapor deposition at low temperature (${\leq}200^{\circ}C$). The mixture of $SiH_4$, $NH_3$ and $H_2$ was used as source gases. The current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) characteristics of the films were measured. The breakdown voltage and the flat band voltage shift of samples were improved by increase of the $NH_3$ contents and $H_2$ dilution ratio. The defect states were analyzed by photoluminescence (PL) spectra. As the defect states decreased, the breakdown voltage and the flat band voltage shift increased.
#Catalytic-CVD #silicon nitride #low temperature

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