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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박봉모 (LG실트론, 단결정기술팀) 서경호 (LG실트론, 단결정기술팀) 김건 (LG실트론, 단결정기술팀)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제11권 제4호
발행연도
2000.1
수록면
200 - 206 (7page)

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In a 200 mm Cz-Si crystal, a macroscopic fluctuation in pulling rate was intentionally introduced then the variations of the pulling rate and the formation behaviors of grow-in defects were compared. The diameters of the OSF-ring and the FPD area were affected by the fluctuation in the region above 1100℃. The COP density depended on the diameter of the OSF-ring. ΔOi and BMD were affected by the fluctuation in the region near 1000Δ. As the result, when a macroscopic fluctuation in pulling rate is introduced, the quality of crystal in the region of 150 mm from the growth interface should be reviewed carefully because it can be affected by the fluctuation.

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