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홍현권 (충북대 대학원 전자공학과) 김규태 (한국표준과학연구원) 박세일 (한국표준과학연구원) 김구현 (충북대 대학원 물리학과) 남두우 (인천대 대학원 물리학과)
저널정보
한국초전도저온학회 한국초전도·저온공학회논문지 한국초전도·저온공학회논문지 제4권 제1호
발행연도
2002.1
수록면
4 - 7 (4page)

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Samples of $Nb/Al-AlO_x/Nb$ tunnel junction with the size of $50 ${\mu}{\textrm}{m}$ {\times} 50 ${\mu}{\textrm}{m}$$</TEX> were fabricated by using self-aligning and reactive ion etching technique In the high quality samples, the $V_m$ value (the product of the critical current and subgap resistance measured at 2 mV) was 34 mV at the critical current density of $J_c: 500 A/cm^2 and the V_g$ value (the gap voltage) was 2.8 mV. For the higher $J_c$ sample, voltage fluctuation at the gap voltage was observed. The $V_m and J_c$ values for this sample were 8 mV and 900 A/cm$^2$, respectively. Also, the relationship between critical current density $J_c$ and specific normal conductance $G_s$ of the junctions with $J_c$ in the range of 28 A/cm$^2$~940 A/cm$^2$was investigated.

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