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저자정보
민석홍 (강릉대학교 금속재료공학과) 정병길 (강릉대학교 금속재료공학과) 최재호 (강릉대학교 금속재료공학과) 김병성 (서울대학교 재료공학부) 김대용 (서울대학교 재료공학부) 신동우 (서울대학교 재료공학부) 조성래 (서울대학교 재료공학부) 김기범 (서울대학교 재료공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제10호
발행연도
2002.1
수록면
814 - 819 (6page)

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TiN and TaN films as electrode materials of reactive sputtered $Ta_2$$O_{5}$ were prepared by sputtering to compare their thermal stabilities with $Ta_2$$O_{5}$ The microstructural change of $Ta_2$$O_{5}$ films with annealing was also investigated. As- deposited $Ta_2$$O_{5}$ film on $SiO_2$ was amorphous and annealing of 80$0^{\circ}C$ for 30 min made it transform to $\beta$-Ta$_2$O$_{5}$ crystalline which contains amorphous particles with the size of a few nm. Crystallization temperature of Ta$_2$Ta_2$$O_{5}$ on TaN is higher than that on TiN electrode. The interface between TaN and Ta$_2$O$_{5}$ maintained stably even after vacuum annealing up to $800^{\circ}C$ for 1 hr, but TiN interacted with $Ta_2$$_O{5}$ and so interdiffusion between TiN and $Ta_2$$O_{5}$ occurred by vacuum annealing of 80$0^{\circ}C$ for 1 hr. It indicates that TaN is thermally more stable with $Ta_2$$O_{5}$ than TiN.N.

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