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저자정보
최치규 (제주대학교 물리학과) 강민성 (제주대학교 물리학과) 김덕수 (제주대학교 화학과) 이광만 (제주대학교 전자공학과) 황찬용 (한국표준과학원 소재특성평가센터부) 서경수 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과) 김건호 (경상대학교 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제12호
발행연도
1998.1
수록면
1,182 - 1,189 (8page)

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Si 기판을 실온과 $600^{\circ}C$로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 $N_2$ 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN($300\AA$)/(Ti+2Si, $300\AA$)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 $TiN/TiSi_2$-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 $700^{\circ}C$ 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 $Ti_{0.5}N_{0.5}$인 박막과 C54-$TiSi_2$박막이 형성되었다. $TiN/C54-TiSi_2/Si$ (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, $C54-TiSi_2$상은 에피택셜 성장되었다. $TiN/TiSi_2$-이중구조막의 면저항은 열처리 온도에 따라 감소하였으며, $700^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 면저항 값이 $2.5\omega/\textrm{cm}^2$ 였다.

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