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자료유형
학술대회자료
저자정보
Kuan, Yung-Chia (CPT, Chunghwa Picture Tubes, LTD) Liang, Shuo-Wei (Research Alliance, Taiwan TFT LCD Association [TTLA] Industrial Technology Research Institute Bldg.) Chiu, Hsian-Kun (CPT, Chunghwa Picture Tubes, LTD) Sun, Kuo-Sheng (CPT, Chunghwa Picture Tubes, LTD)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
747 - 751 (5page)

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The hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) with copper as source and drain electrode has been fabricated to obtain its transfer characteristics and stressed with positive and negative bias to investigate the instability variation comparing to conventional MoW-Al based TFT device. The results show that there is no copper diffusion into active layer of a-Si:H TFT, even during the thermal process. In addition, a 15-inch XGA a Si:H TFT LCD display utilizing Cu as gate electrodes has been developed.

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