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이용수
ABSTRACT
1. 서론
2. 수치해석 모델
3. 드레인 전류의 계산
4. 모의실험 및 결과
5. 결론
참고문헌
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수치해석 모델을 이용한 a-Si : H Tft의 정적 I-V 특성 분석 ( The Analysis of the Static I-V Characteristics of a-Si : H Tft Using the Numerical Model )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
a-Si TFT용, Si $O_{x}$의 저온성장에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
TFT-LCD 특성 분석을 위한 poly-Si TFT 소자 모델링 및 회로 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
A Method to Predict the Performance of a-Si TFT device
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
a-Si:H TFT의 수율 향상을 위한 공정 개선
한국정보통신학회논문지
2007 .06
Electrical Analysis of Bottom Gate TFT with Novel Process Architecture
Journal of information display
2008 .01
Device Physics of Low Temperature Poly-Si and Single Grain TFTs
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2004 .01
The a-Si:H TFT Using Alumina
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2009 .06
a-Si TFT based systems on TFT-LCD panels
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2007 .01
Offset poly-Si TFT의 ON/OFF 특성
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Gate 구동 회로를 집적한 TFT-LCD에서 a-Si:H TFT Instability의 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
H₂ 플라즈마를 이용한 SPC-Si TFT의 전기적 특성 향상
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
Characteristics of poly-Si TFTs Required for System-on-Glass Analog Circuits
Journal of information display
2004 .01
구동 TFT에 따른 TFT-LCD Array 특성 시뮬레이션
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
Dynamic Stress Analysis of a Bottom Gate TFT Having an Active Layer of Amorphous/Microcrystalline Si Double-Layers
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2007 .01
저온 및 고온제작 Poly-Si TFT′s의 수소화 효과
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
실리콘 이온 주입후 고상 결정화된 Poly-Si TFT의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of Poly-Si TFT Using SPC Films After Si ion Implantation )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
TFT-LCD의 Switching 소자용 저누설전류 Poly-Si TFT제작
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
밴더블 a-Si:H 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 채널 길이의 영향
전기전자학회논문지
2016 .09
Required characteristics of poly-Si TFT's for analog circuits of System-on-Glass
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2004 .01
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