Dynamic Stress Analysis of a Bottom Gate TFT Having an Active Layer of Amorphous/Microcrystalline Si Double-Layers

Pak, Sang-Hoon; Jeong, Tae-Hoon; Kim, Si-Joon; Kim, Hyun-Jae

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저자정보: Pak, Sang-Hoon (School of Electrical & Electronic Engineering, Yonsei University) Jeong, Tae-Hoon (School of Electrical & Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Si-Joon (School of Electrical & Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Hyun-Jae (School of Electrical & Electronic Engineering, Yonsei University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호

발행연도: 2007.1

수록면: 1,344 - 1,347 (4page)

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We have fabricated bottom gate TFTs with active layers of amorphous/microcrystalline Si double layers (DL). Dynamic electric stresses were applied to DL TFTs and a-Si TFTs to compare their degradation characteristics. The DL TFTs were more stable under dynamic stresses than a-Si TFTs.

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Pak, Sang-Hoon

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Jeong, Tae-Hoon

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소속기관 School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University

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