Layer-by-layer nitrogenation of microcrystalline silicon for TFT applications

Bu, I.; Milne, W.I.

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Bu, I. (Engineering Department, Cambridge University) Milne, W.I. (Engineering Department, Cambridge University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04

발행연도: 2004.1

수록면: 405 - 407 (3page)

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We have optimized the low temperature growth of microcrystalline silicon at 80$^{\circ}C$. This material has been used to fabricate bottom gate ${\mu}c$-Si:H TFTs by using a layer-by-layer nitrogenation process. By using this process the amorphous incubation layer can be converted into silicon nitride and leads to an increase in field effect mobility of the TFT

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Bu, I.

소속기관 Engineering Department, Cambridge University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 0

Milne, W.I.

소속기관 Engineering Department, Cambridge University

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