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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김동엽 (충남대학교 신소재공학과) 홍순구 (충남대학교 신소재공학과) 정태훈 (한국광기술원) 이상헌 (한국광기술원) 백종협 (한국광기술원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제25권 제1호
발행연도
2015.1
수록면
1 - 8 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

주사전자 및 투과전자현미경을 이용한 청색 발광다이오드의 구조 특성 분석
김동엽 신소재공학과 2015.01 학위논문
고각 환형 암시야 주사투과전자현미경기법과 투과전자현미경기법을 이용한 상용 청색 발광다이오드의 종합적인 구조분석
김동엽 ,  홍순구 ,  정태훈 외 2명 한국재료학회지 2015.01 학술저널

초록· 키워드

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This study suggested comprehensive structural characterization methods for the commercial blue light emitting diodes(LEDs). By using the Z-contrast intensity profile of Cs-corrected high-angle annular dark field scanning transmission electron microscope(HAADF-STEM) images from a commercial lateral GaN-based blue light emitting diode, we obtained important structural information on the epilayer structure of the LED, which would have been difficult to obtain by conventional analysis. This method was simple but very powerful to obtain structural and chemical information on epi-structures in a nanometer-scale resolution. One of the examples was that we could determine whether the barrier in the multi-quantum well(MQW) was GaN or InGaN. Plan-view TEM observations were performed from the commercial blue LED to characterize the threading dislocations(TDs) and the related V-pit defects. Each TD observed in the region with the total LED epilayer structure including the MQW showed V-pit defects for almost of TDs independent of the TD types: edge-, screw-, mixed TDs. The total TD density from the region with the total LED epilayer structure including the MQW was about $3.6{\times}10^8cm^{-2}$ with a relative ratio of Edge- : Screw- :Mixed-TD portion as 80%: 7%: 13%. However, in the mesa-etched region without the MQW total TD density was about $2.5{\times}10^8cm^{-2}$ with a relative ratio of Edge- : Screw- :Mixed-TD portion of 86%: 5%: 9 %. The higher TD density in the total LED epilayer structure implied new generation of TDs mostly from the MQW region.
#blue light emitting diode #Z-contrast #HAADF-STEM #dislocation #V-pit defect

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S. Nakamura / 1993 / Jpn. J. Appl. Phys. 32:8 google schola S. Nakamura / 1993 / Appl. Phys. Lett 62:2390 google schola E. F. Schubert / 2003 / Light-Emitting Diodes / Cambridge University Press google schola R. C. Tu / 2003 / IEEE Photonic. Tech. L 15:1342 google schola Y. Y. Zhang / 2011 / Appl. Phys. Lett 99:221103 google schola

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