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자료유형
학술저널
저자정보
정민지 (충남대학교 에너지과학기술대학원) 조영준 (충남대학교 에너지과학기술대학원) 이선화 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교) 임경진 (주성엔지니어링) 서정호 (주성엔지니어링) 장효식 (충남대학교 에너지과학기술대학원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제29권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
322 - 327 (6page)

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2020

ALD(Atomic Layer Deposition)를 이용한 전하선택접촉박막MoOx의 패시베이션 특성 및 HIT cell 적용
정민지 ,  장효식 한국진공학회 학술발표회초록집 2020.08 학술대회자료

2019

MoO3 박막을 이용한 전하선택접촉과 패시베이션의 적용
정민지 ,  장효식 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2019.04 학술대회자료
전하선택접촉 박막의 MoOx 패시베이션 특성 및 이종접합태양전지 적용 연구
정민지 에너지과학기술학과 2019.01 학위논문
원자층 증착법으로 증착된 MoO<sub>x</sub>를 적용한 전하 선택 접합의 이종 접합 태양전지
정민지 ,  조영준 ,  이선화 외 4명 한국재료학회지 2019.01 학술저널

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Hole carrier selective MoOx film is obtained by atomic layer deposition(ALD) using molybdenum hexacarbonyl[$Mo(CO)_6$] as precursor and ozone($O_3$) oxidant. The growth rate is about 0.036 nm/cycle at 200 g/Nm of ozone concentration and the thickness of interfacial oxide is about 2 nm. The measured band gap and work function of the MoOx film grown by ALD are 3.25 eV and 8 eV, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) result shows that the $Mo^{6+}$ state is dominant in the MoOx thin film. In the case of ALD-MoOx grown on Si wafer, the ozone concentration does not affect the passivation performance in the as-deposited state. But, the implied open-circuit voltage increases from $576^{\circ}C$ to $620^{\circ}C$ at 250 g/Nm after post-deposition annealing at $350^{\circ}C$ in a forming gas ambient. Instead of using a p-type amorphous silicon layer, high work function MoOx films as hole selective contact are applied for heterojunction silicon solar cells and the best efficiency yet recorded (21 %) is obtained.
#atomic layer deposition #carrier selective contact #heterojunction #$MoO_x$ #silicon solar cell

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