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저자정보
박주홍 (인제대학교 나노공학부/나노 매뉴팩쳐링 연구소) 이성현 (인제대학교 나노공학부/나노 매뉴팩쳐링 연구소) 최경훈 (인제대학교 나노공학부/나노 매뉴팩쳐링 연구소) 노호섭 (인제대학교 나노공학부/나노 매뉴팩쳐링 연구소) 이제원 (인제대학교 나노공학부/나노 매뉴팩쳐링 연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제8호
발행연도
2009.1
수록면
421 - 426 (6page)

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We report on the capacitively coupled O2 plasma etching of PMMA and polycarbonate (PC) with a diffusion pump. Plasma process variables were process pressure and CCP power at 5 sccm $O_2$ gas flow rate. Characterization was done in order to analyze etch rate, etch selectivity, surface roughness, and morphology using stylus surface profilometry and scanning electron microscopy. Self bias decreased with increase of process pressure in the range of 25$\sim$180 mTorr. We found an important result for optimum pressure for the highest etch rate of PMMA and PC, which was 60 mTorr. PMMA and PC had etch rates of 0.46 and 0.28 ${\mu}m$/min under pressure conditions, respectively. More specifically, etch rates of the materials increased when the pressure changed from 25 mTorr to 60 mTorr. However, they reduced when the pressure increased further after 60 mTorr. RMS roughnesses of the etched surfaces were in the range of 2.2$\sim$2.9 nm. Etch selectivity of PMMA to a photoresist was $\sim$1.5:1 and that of PC was $\sim$0.9:1. Etch rate constant was about 0.04 ${\mu}m$/minW and 0.02 ${\mu}m$/minW for PMMA and PC, respectively, with the CCP power change at 5 sccm $O_2$ and 40 mTorr process pressure. PC had more erosion on the etched sidewall than PMMA did. The OES data showed that the intensity of the oxygen atomic peak (777.196 nm) proportionally increased with the CCP power.

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