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본 논문에서는 고전압, 고전류 동작에 적합한 4H-SiC UMOSFET에 대해서 연구하였다. 일반적으로 SiO₂는 SiC MOSFET에서 gate dielectric으로 가장 많이 사용되는 물질이다. 하지만 4H-SiC보다 유전 상수 값이 2.5배 낮아서 높은 전계를 갖게 되므로 SiO₂/SiC 접합 부분에서 열악한 특성을 갖는다. 따라서 high-k 물질을 gate dielectric으로 적용한 소자를 SiO₂를 적용한 소자와 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 비교하였다. 그 결과 BV 감소, V<SUB>TH</SUB> 감소, g<SUB>m</SUB> 증가, R<SUB>on</SUB> 감소를 확인하였다. 특히 온도가 300K일 때, Al₂O₃와 HfO₂의 R<SUB>on</SUB>은 66.29%, 69.49%가 감소하였으며 600K일 때도 39.71%, 49.88%가 감소하였다. 따라서 Al₂O₃와 HfO₂가 고전압 SiC MOSFET의 gate dielectric 물질로써 적합함을 확인하였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
Peter Friedrichs Prof / 2011 / Silicon Carbide: Volume 2: Power Devices and Sensors / Wiley VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 2:2011
Wolfgang Justus ChoykeH / 2004 / Silicon Carbide: Recent Major Advances / Springer Science & Business Media
Muhammad Nawaz / 2015 / On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs / Active and Passive Electronic Components, 2015(651527):2015
S. Wirths / 2020 / Threshold Voltage Stability Study on Power SiC MOSFETs Using High-k Dielectrics / PCIM Europe digital days 2020;International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management :1~8
Muhammad Usman / Improving the quality of Al2O3/4H-SiC interface for device applications / Materials Science in Semiconductor Processing 81:118~121
Wolfgang Justus ChoykeH / 2004 / Silicon Carbide: Recent Major Advances / Springer Science & Business Media
Muhammad Nawaz / 2015 / On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H-SiC Based Power MOSFETs / Active and Passive Electronic Components, 2015(651527):2015
S. Wirths / 2020 / Threshold Voltage Stability Study on Power SiC MOSFETs Using High-k Dielectrics / PCIM Europe digital days 2020;International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management :1~8
Muhammad Usman / Improving the quality of Al2O3/4H-SiC interface for device applications / Materials Science in Semiconductor Processing 81:118~121
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